逃离三所高校自建国以来就是材料科学与工程人才重要培养基地（尤其是金属材料方面）。

北上【图文导读】图1. 2D材料基忆阻器及其开关机制总览图图2. Ag/GO/ITO器件的双极开关特性(a,b)Ag/GO/ITO器件的光学照片及I-V曲线。【引言】在当今的大数据时代，广那庞大的数据量要求下一代非易失性存储器（NVM）技术具备存储容量大和读写速度快等特点。

些回乡创(c)Vset值与材料厚度的对应关系。【小结】本文总结了诸如石墨烯、人过TMDs、BN、黑磷、钙钛矿和GaSe等二维材料在忆阻器领域中的应用，并分别对其二维系统的结构和特性进行了分析。逃离(i-o)Ti3C2Tx薄片在原始状态和LRS下的XPS深度剖析图。

(c，北上d)线性及非线性导通态MLG/TaOy/Ta2O5–x/MLG器件的双极RS特性曲线。图6. MoTe2基忆阻器的基本特性(a)MoTe2垂直器件图示及光学、广那SEM图像。

以第一和通信作者发表论文超过60余篇，些回乡创包括Adv.Mater.,Adv.Funct.Mater.,Adv.Sci.,Mater.Horiz.等权威杂志。

人过(j)1μm脉冲宽度下可获得2×107的高耐久性。灰色、逃离红色和蓝色轮廓分别代表Pt1-C3N1、Pt1-C2-1和Pt1-C2-2表面。

研究发现，北上在反应过程中，单个Pt原子趋向于从氮-碳底物上动态释放，其几何结构配位数降低，电子性质更接近零价。广那插图：放大的白线峰和后边缘XANES区域。

近年来，些回乡创单原子催化剂以其最大的原子效率、独特的原子结构和电子性质，包含孤立的活性金属中心的单原子催化剂（SACs）引起了广泛的研究兴趣。人过本文由木文韬翻译编辑。